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        QSCB0805- 1R0

        含能半導體橋絲(QSCB)是在原半導體橋(SCB)結構的基礎上覆合含能層,用以激發強化其等離子體能量,使其輸出能量可以直接點火起爆藥。

        2020-10-29

        SCB0805- 1R0

        半導體橋絲(SCB) 采用多晶硅材料利用成熟的半導體工藝技術制作而成,。依靠電流產生的半導體雪崩效應,瞬間將固態硅升華為等離子態并作用于火工藥劑,最終產生爆轟。其具用的負阻效應,等離子態激發等特點有別于傳統橋絲,使其具用超高的點火效率,從而成為最理想的換能元。

        2020-10-29

        SCB0805- 1R0

        半導體橋絲(SCB) 采用多晶硅材料利用成熟的半導體工藝技術制作而成,。依靠電流產生的半導體雪崩效應,瞬間將固態硅升華為等離子態并作用于火工藥劑,最終產生爆轟。其具用的負阻效應,等離子態激發等特點有別于傳統橋絲,使其具用超高的點火效率,從而成為最理想的換能元。

        2020-10-29

        JMC0805- 8R0

        在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻(2~8Ω),通過過載電流使合金橋體發生拉弧并引燃點火藥,最終電能轉爆轟實現能量轉換的目的,也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

        2020-10-29

        JMC0805- 6R0

        在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻(2~8Ω),通過過載電流使合金橋體發生拉弧并引燃點火藥,最終電能轉爆轟實現能量轉換的目的,也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

        2020-10-29

        JMC0805- 2R0

        在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻(2~8Ω),通過過載電流使合金橋體發生拉弧并引燃點火藥,最終電能轉爆轟實現能量轉換的目的,也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

        2020-10-29

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